[发明专利]半导体装置及功率模块在审

专利信息
申请号: 201811246661.7 申请日: 2018-10-25
公开(公告)号: CN109936351A 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 大桥英知 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 齐雪娇;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及半导体装置及功率模块。本发明在防止误动作的同时更适当地保护IGBT等的开关元件。提供一种装置,该装置具备:晶体管,其集电极‑发射极间相对于用于检测在开关元件的电流感测端子流通的电流的电流检测电阻串联或者并联地连接;过冲处理电路,连接在电流感测端子与晶体管的基极之间,根据来自电流感测端子的电流输入来控制晶体管,减小在电流检测电阻中流通的感测电流的伴随着开关元件的开关动作的过冲。
搜索关键词: 电流感测 开关元件 电流检测电阻 半导体装置 功率模块 晶体管 过冲处理电路 控制晶体管 感测电流 开关动作 地连接 发射极 集电极 误动作 并联 减小 流通 串联 检测
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:晶体管,其集电极连接在电流检测电阻的与开关元件的电流感测端子侧连接的一端侧,所述晶体管的发射极连接在该电流检测电阻的另一端侧;以及过冲处理电路,其连接在所述电流感测端子与所述晶体管的基极之间,根据来自所述电流感测端子的电流输入来控制所述晶体管,减小在所述电流检测电阻中流通的感测电流的伴随着所述开关元件的开关动作的过冲。
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