[发明专利]半导体装置及功率模块在审
| 申请号： | 201811246661.7 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109936351A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 大桥英知 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 齐雪娇;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流感测 开关元件 电流检测电阻 半导体装置 功率模块 晶体管 过冲处理电路 控制晶体管 感测电流 开关动作 地连接 发射极 集电极 误动作 并联 减小 流通 串联 检测 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
晶体管，其集电极连接在电流检测电阻的与开关元件的电流感测端子侧连接的一端侧，所述晶体管的发射极连接在该电流检测电阻的另一端侧；以及
过冲处理电路，其连接在所述电流感测端子与所述晶体管的基极之间，根据来自所述电流感测端子的电流输入来控制所述晶体管，减小在所述电流检测电阻中流通的感测电流的伴随着所述开关元件的开关动作的过冲。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述过冲处理电路具有：
第一电容器，其连接在所述电流感测端子与所述晶体管的基极之间；以及
第一电阻，其连接在所述电流感测端子与所述晶体管的集电极之间。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述过冲处理电路还具有第二电阻，所述第二电阻连接在所述晶体管的基极与发射极之间。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，所述过冲处理电路具有与所述开关元件的导通时间和关断时间中的至少一个时间对应的时间常数。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备过电流判定电路，所述过电流判定电路基于在所述电流检测电阻产生的电压来判定过电流。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，还具备积分电路，所述积分电路连接在所述晶体管的集电极与所述过电流判定电路之间。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述积分电路的时间常数比所述过冲处理电路的时间常数小。
8.一种半导体装置，其特征在于，具备：
晶体管，其集电极连接在开关元件的电流感测端子侧，所述晶体管的发射极连接在电流检测电阻侧；以及
过冲处理电路，连接在所述开关元件的所述电流感测端子与所述晶体管的基极之间，根据来自所述电流感测端子的电流输入来控制所述晶体管，减小在所述电流检测电阻中流通的感测电流的伴随着所述开关元件的开关动作的过冲。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述过冲处理电路具有：
第三电阻，其连接在所述晶体管的集电极与基极之间；以及
第二电容器，其连接在所述晶体管的基极与发射极之间。
10.根据权利要求8或9所述的半导体装置，其特征在于，
所述过冲处理电路具有与所述开关元件的导通时间和关断时间中的至少一个时间对应的时间常数。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备过电流判定电路，所述电流判定电路基于在所述电流检测电阻产生的电压来判定过电流。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还具备积分电路，所述积分电路连接在所述晶体管的集电极与所述过电流判定电路之间。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述积分电路的时间常数比所述过冲处理电路的时间常数小。
14.根据权利要求5、6、7、11、12、13中任一项所述的半导体装置，其特征在于，还具备对所述开关元件进行驱动的驱动电路。
15.一种功率模块，其特征在于，具备权利要求14所述的半导体装置和所述开关元件。
16.根据权利要求15所述的功率模块，其特征在于，还具备所述电流检测电阻。
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