[发明专利]金纳米棒在倒置OLED器件中的应用在审
| 申请号： | 201811241682.X | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109560211A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王欢;赵阳;张彪;陈曦 | 申请（专利权）人： | 东北石油大学 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大庆禹奥专利事务所 23208 | 代理人： | 朱士文;杨晓梅 |
| 地址： | 163000 黑龙江省*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了金纳米棒在提高倒置OLED器件发光性能中的应用。本发明还公开了金纳米棒杂化的倒置OLED器件以及该器件的制备方法。本方法通过利用金纳米棒的表面等离激元共振效应，大大加快了电子的受激和辐射跃迁过程，通过调节金纳米棒的纵横比，使其表面等离激元共振吸收带与发光材料的吸收和发射光谱分别重叠，达到最大程度地增强OLED器件性能的目的，与原始器件相比，金纳米棒杂化的器件亮度和流明效率是原始器件亮度和流明效率的2.07倍和1.86倍，有效提高了倒置OLED器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金纳米棒 倒置 表面等离激元 流明效率 原始器件 杂化 最大程度地 发光材料 发光性能 发射光谱 共振吸收 共振效应 调节金 纳米棒 纵横比 跃迁 制备 应用 辐射 吸收 | ||
【主权项】：
1.金纳米棒在提高倒置OLED器件发光性能中的应用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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