[发明专利]金纳米棒在倒置OLED器件中的应用

说明书

本发明公开了金纳米棒在提高倒置OLED器件发光性能中的应用。本发明还公开了金纳米棒杂化的倒置OLED器件以及该器件的制备方法。本方法通过利用金纳米棒的表面等离激元共振效应，大大加快了电子的受激和辐射跃迁过程，通过调节金纳米棒的纵横比，使其表面等离激元共振吸收带与发光材料的吸收和发射光谱分别重叠，达到最大程度地增强OLED器件性能的目的，与原始器件相比，金纳米棒杂化的器件亮度和流明效率是原始器件亮度和流明效率的2.07倍和1.86倍，有效提高了倒置OLED器件的性能。

技术领域

本发明涉及有机发光二极管技术领域，具体地说，涉及金纳米棒在倒置OLED器件中的应用。

背景技术

有机发光二极管（OLED）是目前有希望取代液晶屏显示器的一种主动发光器件，具有低工作电压、高亮度、柔性可弯曲、视角广等优势，其通常的结构是由正/负电极、空穴/电子传输层和有机发光层组成，器件工作原理是空穴和电子分别由正极和负极注入，分别经过空穴和电子传输层，在发光层中复合发光。金属纳米粒子在光激发下，具有表面等离激元共振效应，可以提高发光材料的亮度和效率，将金属纳米粒子应用于OLED器件中，可以提高其性能。

倒置结构的OLED器件通常具有稳定性好的优点，这是因为电子是从导电玻璃（ITO）一端注入，而在器件中不使用环境稳定性差的金属电极，将金纳米棒应用于倒置OLED器件并增强其性能，目前尚无报道。

发明内容

本发明提供了金纳米棒（AuNRs）在倒置OLED器件中的应用，通过利用金纳米棒的表面等离激元共振效应，有效提高倒置OLED器件的性能，通过调节金纳米棒的纵横比，使其表面等离激元共振吸收带与发光材料的吸收和发射光谱分别重叠，达到最大程度地增强OLED器件性能的目的。

本发明通过以下方案来实现：

一、金纳米棒在提高倒置OLED器件发光性能中的应用。

具体的，所述金纳米棒横向吸收带的位置在525nm，纵向吸收带的位置大于600nm。

具体的，所述金纳米棒的纵横比为80nm：40nm。

进一步的，所述提高发光性能是通过调节金纳米棒的纵横比，使其表面等离激元共振吸收带与发光材料的吸收和发射光谱分别重叠来实现的。

进一步的，所述发光材料为红光发射材料、深红光发射材料和近红外光发射材料中的任意一种。

二、一种金纳米棒杂化的倒置OLED器件，包括导电玻璃ITO层、金纳米棒层、电子传输层、发光层、空穴传输层和金属银电极。

具体的，所述电子传输层材料为氧化锌。

具体的，所述发光层的材料为MEH-PPV。

具体的，所述空穴传输层的材料为氧化钼。

三、一种根据上述的金纳米棒杂化的倒置OLED器件的制备方法，包括以下步骤：

（1）首先在导电玻璃ITO上通过静电吸附自组装的方法沉积一层金纳米棒；

（2）再通过旋涂的方法制备一薄层氧化锌作为电子传输层；

（3）随后再旋涂一层发光材料；

（4）最后通过蒸镀的方法制备氧化钼和金属银电极。

进一步的，所述金纳米棒和发光材料之间的间隔为6~12nm。

进一步的，所述发光层厚度为70~100nm。