[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

在此提供一种半导体结构的形成方法。此方法包括形成材料层于基板上，并形成光阻层于材料层之上。光阻层包括无机材料及辅助剂，且无机材料包括复数个金属核及复数个第一连结基团，其中第一连结基团键结至金属核。此方法亦包括进行曝光工艺，以曝光光阻层的一部分，其中在曝光工艺期间，辅助剂与第一连结基团进行反应。此方法亦包括蚀刻光阻层的一部分，以形成经过图案化的光阻层，并使用经过图案化的光阻层作为掩模，以将材料层图案化。此方法亦包括移除经过图案化的光阻层。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，包括：形成一材料层于一基板之上；形成一光阻层于该材料层之上，其中该光阻层包括一无机材料及一辅助剂，其中该无机材料包括复数个金属核及复数个第一连结基团，且其中该等第一连结基团键结至该等金属核；通过进行一曝光工艺，以曝光该光阻层的一部分，其中在该曝光工艺期间，该辅助剂与该等第一连结基团进行反应；蚀刻该光阻层的一部分，以形成一经过图案化的光阻层；通过使用该经过图案化的光阻层作为一掩模，以将该材料层图案化；以及移除该经过图案化的光阻层。