[发明专利]一种制备半导体材料Cu2 有效
| 申请号： | 201811228976.9 | 申请日： | 2018-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN109368683B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王舜;尹德武;金辉乐;刘爱丽;钱鹏程 | 申请（专利权）人： | 温州大学新材料与产业技术研究院 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02 |
| 代理公司： | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人： | 陈加利 |
| 地址： | 325000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种制备半导体材料Cu |
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| 搜索关键词： | 一种 制备 半导体材料 cu base sub | ||
【主权项】：
1.一种制备半导体材料Cu2O的方法，其特征在于包括以下步骤：称取Cu(NO3)2·3H2O和PVP，溶解于乙二醇中，溶液为蓝色，然后将混合溶液微波加热到150‑170 ℃，等溶液由蓝色变为砖红色沉淀，再将微波的保温时间设置为1min‑20min，等反应结束后，将混合溶液自然冷却至室温，最后，将制备得到的混合溶液以10000 rpm离心5 min，取砖红色沉淀用无水乙醇和蒸馏水各洗2次，最后一遍用无水乙醇洗涤，洗涤完成后干燥，得到半导体材料Cu2O。
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