[发明专利]一种制备半导体材料Cu2

说明书

本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种制备半导体材料Cu₂O的方法，包括以下步骤：称取Cu(NO₃)₂•3H₂O和PVP，溶解于乙二醇中，溶液为蓝色，然后将混合溶液微波加热到150‑170℃，等溶液由蓝色变为砖红色沉淀，再将微波的保温时间设置为1min‑20min，等反应结束后，将混合溶液自然冷却至室温，最后，将制备得到的混合溶液以10000 rpm离心5 min，取砖红色沉淀用无水乙醇和蒸馏水各洗2次，最后一遍用无水乙醇洗涤，洗涤完成后干燥，得到半导体材料Cu₂O。本发明所公开的方法过程简单，容易控制，产品稳定，便于产业化。

技术领域

本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种制备半导体材料Cu₂O的方法。

背景技术

Cu₂O是一种有前景的半导体氧化物材料，应用十分广泛，例如用于光伏器件、发光二极管和电子材料等，在很多领域都有应用并且性能优异。在这些应用领域中，光热疗法利用在近红外区域中纳米材料（特别是小纳米颗粒）对近红外光的强吸收，并将吸收的光转化成热量用于治疗各种疾病，包括破坏肿瘤细胞。由于组织对近红外辐射的弱吸收，其能够穿透皮肤而不对正常组织造成大量损伤，使得其可用于治疗由纳米材料靶向的特定细胞。一系列传统纳米材料强烈吸收近红外区域中的辐射，包括金纳米颗粒，金纳米棒和单壁碳纳米管，其已经被证明具有潜在的治疗应用。然而，成本过高，制备过程太复杂等限制了这些纳米材料的进一步应用。Cu₂O的制备方法有很多，常见的方法有反应溅射法，热氧化法，电沉积法和金属有机化学气相沉积法等。但是常见的方法存在成本高或产品品质不够稳定的问题，因此需要一种成本低、方便产业化生产、产品稳定的制备方法制备半导体材料Cu₂O。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足，而提供一种制备半导体材料Cu₂O的方法。

本发明所采取的技术方案如下：一种制备半导体材料Cu₂O的方法，包括以下步骤：称取Cu(NO₃)₂•3H₂O（三水合硝酸铜）和PVP（聚乙烯吡咯烷酮），溶解于乙二醇中，溶液为蓝色，然后将混合溶液微波加热到150-170 ℃，等溶液由蓝色变为砖红色沉淀，再将微波的保温时间设置为1min-20min，等反应结束后，将混合溶液自然冷却至室温，最后，将制备得到的混合溶液以10000 rpm离心5 min，取砖红色沉淀用无水乙醇和蒸馏水各洗2次，最后一遍用无水乙醇洗涤，洗涤完成后干燥，得到半导体材料Cu₂O。

Cu(NO₃)₂•3H₂O和PVP的质量比为2.0-2.1:1。

本发明的有益效果如下：本发明所公开的方法过程简单，容易控制，产品稳定，所制备的Cu₂O具有一定的光吸收性能，便于产业化。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，根据这些附图获得其他的附图仍属于本发明的范畴。

图1为Cu₂O样品的XRD图；

图2为不同温度所得Cu₂O样品的SEM图：(a)150℃；(b)160℃； (c)170℃；

图3为不同保温时间所得Cu₂O样品的SEM图：(a)1min ；(b)5min ；(c)10min ； (d)20min；