[发明专利]一种光刻方法在审
| 申请号： | 201811222483.4 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109459913A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 鲁旭斋;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明技术方案公开了一种光刻方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层的表面附有碱性基团；对所述半导体衬底上的介质层进行表面处理工艺，所述表面处理工艺采用的反应源包括具有强氧化性的物质；在所述表面处理工艺后，在所述介质层上涂布光阻材料，进行光刻工艺。本发明技术方案可以改善光刻效果，并且降低工艺复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 表面处理工艺 衬底 光刻 半导体 工艺复杂度 光刻工艺 光阻材料 碱性基团 强氧化性 反应源 | ||
【主权项】：
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层的表面附有碱性基团；对所述半导体衬底上的介质层进行表面处理工艺，所述表面处理工艺采用的反应源包括具有强氧化性的物质；在所述表面处理工艺后，在所述介质层上涂布光阻材料，进行光刻工艺。
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