[发明专利]一种光刻方法在审
| 申请号： | 201811222483.4 | 申请日： | 2018-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN109459913A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 鲁旭斋;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 表面处理工艺 衬底 光刻 半导体 工艺复杂度 光刻工艺 光阻材料 碱性基团 强氧化性 反应源 | ||
1.一种光刻方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层的表面附有碱性基团；
对所述半导体衬底上的介质层进行表面处理工艺，所述表面处理工艺采用的反应源包括具有强氧化性的物质；
在所述表面处理工艺后，在所述介质层上涂布光阻材料，进行光刻工艺。
2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述反应源包括臭氧、氧气、氯气或过氧化氢。
3.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述反应源为臭氧和氧气的混合气体。
4.如权利要求3所述的光刻方法，其特征在于，所述反应源中的臭氧通过静电放电、电解或紫外线照射产生，反应原料为氧气。
5.如权利要求3所述的光刻方法，其特征在于，还包括：控制反应源流量、反应源的臭氧浓度和/或反应源的通入压力，以使臭氧量与所述介质层表面的碱性基团数量相适应。
6.如权利要求5所述的光刻方法，其特征在于，所述反应源流量范围为100sccm～30000sccm；所述反应源的臭氧浓度范围为5wt％～25wt％；所述反应源的通入压力范围为100mTorr～760Torr。
7.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，还包括：控制反应时间，以使表面处理反应完全。
8.如权利要求7所述的光刻方法，其特征在于，所述反应时间范围为5s～60s。
9.如权利要求1至8任一项所述的光刻方法，其特征在于，还包括：在表面处理反应过程中，对形成有介质层的所述半导体衬底进行加热。
10.如权利要求9所述的光刻方法，其特征在于，所述加热的温度范围为100℃～440℃。
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