[发明专利]一种双栅极TFT器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811212927.6 | 申请日： | 2018-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN109494256A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 林志峥 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种双栅极TFT器件结构及其制备方法，其中双栅极TFT器件结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层和第三金属层；在维持现有阵列TFT器件制作工艺流程的前提下，通过在面板内的栅极(GIP)区域施作第三金属层作为TFT器件的顶栅，替代现有技术中单栅极TFT结构器件，进而实现GIP电路的双栅极TFT器件结构，能有效提高TFT器件的电性以及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 双栅极 绝缘层 金属层 制备 第二金属层 第一金属层 电子元器件 半导体层 结构器件 工艺流程 玻璃层 单栅极 平坦层 电性 顶栅 电路 替代 制作 | ||
【主权项】：
1.一种双栅极TFT器件结构，其特征在于，包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层和第三金属层；所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层和第二绝缘层依次设置在玻璃层表面，所述第二绝缘层上设有至少两个的第一过孔，所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与半导体层接触，所述第三绝缘层一侧面分别与第二金属层远离玻璃层的一侧面以及第二绝缘层远离玻璃层的一侧面接触，所述第三绝缘层另一侧面与平坦层接触；在器件结构的水平方向上，所述平坦层对应两个第一过孔之间的位置设有至少一个的第二过孔，所述第三金属层设置于所述第二过孔中且与所述第三绝缘层另一侧面接触。
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