[发明专利]一种双栅极TFT器件结构及其制备方法

说明书

本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种双栅极TFT器件结构及其制备方法，其中双栅极TFT器件结构包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层和第三金属层；在维持现有阵列TFT器件制作工艺流程的前提下，通过在面板内的栅极(GIP)区域施作第三金属层作为TFT器件的顶栅，替代现有技术中单栅极TFT结构器件，进而实现GIP电路的双栅极TFT器件结构，能有效提高TFT器件的电性以及稳定性。

技术领域

本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种双栅极TFT器件结构及其制备方法。

背景技术

随着有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)和高性能有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中的发展，为了得到高分辨率和高帧速的显示器，通常需要薄膜场效应晶体管(TFT)具有较高的电流电压驱动能力。

氧化物半导体(例如：IGZO，一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物)迁移率(10-30cm2/V.s)可满足AMOLED显示阵列基板驱动需求，且IGZO TFT器件相对低温多晶硅TFT拥有更优越的失调电流(Ioff)，画素TFT只需要单栅极就可抑制漏电问题，有更利于TFT器件的小型化，实现超高分辨率TFT基板的制作。因此，搭配IGZO TFT器件驱动电路的高分辨率AMOLED显示器市场前景很好，为目前国内外主要面板制造厂研发热点。双栅极结构TFT器件相较于传统单栅极结构TFT器件表现出更好的电学稳定性和更强的栅控能力，然而，目前的双栅极结构TFT器件结构较为复杂，以及制备方法需要增加制程工艺复杂度，因而会大大降低产品品质，不利于广泛应用。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种双栅极TFT器件结构及其制备方法，在不增加制程成本的情况下有效提高TFT器件的电性以及稳定性。

为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：

一种双栅极TFT器件结构，包括玻璃层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层、第二金属层、第三绝缘层、平坦层和第三金属层；

所述第一金属层、第一绝缘层、半导体层和第二绝缘层依次设置在玻璃层表面，所述第二绝缘层上设有至少两个的第一过孔，所述第二金属层填充于所述第一过孔中且与半导体层接触，所述第三绝缘层一侧面分别与第二金属层远离玻璃层的一侧面以及第二绝缘层远离玻璃层的一侧面接触，所述第三绝缘层另一侧面与平坦层接触；

在器件结构的水平方向上，所述平坦层对应两个第一过孔之间的位置设有至少一个的第二过孔，所述第三金属层设置于所述第二过孔中且与所述第三绝缘层另一侧面接触。

本发明采用的第二种技术方案为：

一种双栅极TFT器件结构的制备方法，包括以下步骤：

S1、提供一玻璃层，且在所述玻璃层上依次覆盖第一金属层、第一绝缘层、半导体层和第二绝缘层；

S2、于所述第二绝缘层中形成至少两个的第一过孔，在第一过孔中形成第二金属层，且第二金属层与半导体层接触；

S3、形成一第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖于第二金属层表面和第二绝缘层表面；

S4、于所述第三绝缘层表面形成一平坦层，且在器件结构的水平方向上，于所述平坦层上对应两个第一过孔之间的位置形成至少一个的第二过孔，在第二过孔中形成第三金属层且与所述第三绝缘层接触。