[发明专利]一种有机非易失性存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811210181.5 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109461815A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 陆旭兵;何惠欣;许文超;何宛兒 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 任重 |
| 地址： | 526040 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有机非易失性存储器件及其制备方法。所述有机非易失性存储器件，从下至上依次包括底栅电极、二氧化硅阻挡层、有机聚合物α‑甲基苯乙烯存储层、有机小分子并五苯有源层和金属源漏电极；所述二氧化硅阻挡层的厚度为50~100 nm，所述有机聚合物α‑甲基苯乙烯存储层的厚度为8~20nm，所述有机小分子并五苯有源层的厚度为30~50nm。本发明选用二氧化硅作为阻挡层，有机聚合物α‑甲基苯乙烯作为存储层，有机小分子并五苯作为有源层，并对其厚度和生长温度进行优选得到的有机非易失性存储器件具有很好的双极性存储特性，在信息存储，柔性电子学等领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 易失性存储器 甲基苯乙烯 有机聚合物 有机小分子 并五苯 存储层 源层 二氧化硅阻挡层 制备 金属源漏电极 存储特性 底栅电极 二氧化硅 信息存储 双极性 阻挡层 电子学 优选 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种有机非易失性存储器件，其特征在于，从下至上依次包括底栅电极、二氧化硅阻挡层、有机聚合物α‑甲基苯乙烯存储层、有机小分子并五苯有源层和金属源漏电极；所述二氧化硅阻挡层的厚度为50~100nm，所述有机聚合物α‑甲基苯乙烯存储层的厚度为8~20nm，所述有机小分子并五苯有源层的厚度为30~50nm。
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