[发明专利]一种有机非易失性存储器件及其制备方法在审

申请号：	201811210181.5	申请日：	2018-10-17
公开（公告）号：	CN109461815A	公开（公告）日：	2019-03-12
发明（设计）人：	陆旭兵;何惠欣;许文超;何宛兒	申请（专利权）人：	肇庆市华师大光电产业研究院
主分类号：	H01L51/05	分类号：	H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40
代理公司：	广州粤高专利商标代理有限公司 44102	代理人：	任重
地址：	526040 广东省肇庆市***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	易失性存储器甲基苯乙烯有机聚合物有机小分子并五苯存储层源层二氧化硅阻挡层制备金属源漏电极存储特性底栅电极二氧化硅信息存储双极性阻挡层电子学优选生长应用
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【权利要求书】：

1.一种有机非易失性存储器件，其特征在于，从下至上依次包括底栅电极、二氧化硅阻挡层、有机聚合物α-甲基苯乙烯存储层、有机小分子并五苯有源层和金属源漏电极；所述二氧化硅阻挡层的厚度为50~100nm，所述有机聚合物α-甲基苯乙烯存储层的厚度为8~20nm，所述有机小分子并五苯有源层的厚度为30~50nm。

2.根据权利要求1所述有机非易失性存储器件，其特征在于，所述底栅电极为硅、金、银或铝中的一种。

3.根据权利要求2所述有机非易失性存储器件，其特征在于，所述底栅电极为重掺杂的P（100）硅。

4.根据权利要求1所述有机非易失性存储器件，其特征在于，所述源漏电极为铜、金、银或铝中的一种。

5.根据权利要求1所述有机非易失性存储器件，其特征在于，所述二氧化硅阻挡层的厚度为50 nm。

6.根据权利要求1所述有机非易失性存储器件，其特征在于，所述有机聚合物α-甲基苯乙烯存储层的厚度为12nm。

7.根据权利要求1所述有机非易失性存储器件，其特征在于，所述有机小分子并五苯有源层的厚度为40nm。

8.权利要求1~7任一所述有机非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：选用已生长二氧化硅阻挡层的底栅电极，对二氧化硅阻挡层进行UV/O₃进行活化；

S2：在二氧化硅得阻挡层上旋涂聚α-甲基苯乙烯溶液，于40~150℃下退火5~15min得有机聚合物α-甲基苯乙烯存储层；

S3：在有机聚合物α-甲基苯乙烯存储层上沉积并五苯得有源层；

S4：在有源层上沉积金属得金属源漏电极。

9.根据权利要求8所述制备方法，其特征在于，S2中所述聚α-甲基苯乙烯溶液中聚α-甲基苯乙烯的质量浓度为0.05~0.5%。