[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201811210091.6 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN111063655A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张文文;黄仁瑞;刘茂祥;蔡曹元 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层；在所述层间介电层上形成图案化的掩膜层；以所述图案化的掩膜层为掩膜执行第一干法刻蚀工艺，以在所述层间介电层中形成第一凹槽；执行沉积工艺，以形成覆盖所述第一凹槽侧壁的聚合物层；以所述聚合物层为掩膜执行第二干法刻蚀工艺，以在所述第一凹槽底部形成第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽构成梯形通孔。本发明提供的半导体器件的制造方法，仅通过一次光刻工艺即可实现梯形通孔的制备，从而简化了工艺流程，降低了制造成本，更有利于工业化的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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