[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本发明实施例提供一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：本体区，位于基板的上部，具有第一导电类型；飘移区，位于基板的上部，具有第二导电类型，本体区与飘移区之间设有第一隔离区；栅极，位于基板之上；源极区，位于本体区中；漏极区，位于飘移区中，包括相邻设置的第一漏极区及第二漏极区，第一漏极区具有第二导电类型，第二漏极区具有第一导电类型；第二隔离区，设于第一隔离区与漏极区之间的飘移区中；及第一掺杂区，位于第一隔离区及第二隔离区之间的基板之中，具有第一导电类型；第一掺杂区与飘移区构成第一二极管。

主权项

1.一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：一基板，具有一第一导电类型；一本体区，位于该基板的上部，该本体区具有一第一导电类型；一飘移区，位于该基板的上部，该本体区与该飘移区之间设有一第一隔离区，该飘移区具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；一栅极，位于该基板之上，且部分覆盖该本体区；一源极区，位于该本体区中，该源极区具有该第二导电类型；一漏极区，位于该飘移区中，包括相邻设置的一第一漏极区及一第二漏极区，该第一漏极区具有该第二导电类型，且该第二漏极区具有该第一导电类型；一第二隔离区，设于该第一隔离区与该漏极区之间的该飘移区中；及一第一掺杂区，位于该第一隔离区及该第二隔离区之间的该基板之中，该第一掺杂区具有该第一导电类型；其中该第一掺杂区与该飘移区构成一第一二极管。