[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201811209280.1 | 申请日： | 2018-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN109599439B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;许曼 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
1.一种横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：
一基板，具有一第一导电类型；
一本体区，位于该基板的上部，该本体区具有一第一导电类型；
一飘移区，位于该基板的上部，该本体区与该飘移区之间设有一第一隔离区，该飘移区具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型；
一栅极，位于该基板之上，且部分覆盖该本体区；
一源极区，位于该本体区中，该源极区具有该第二导电类型；
一漏极区，位于该飘移区中，包括相邻设置的一第一漏极区及一第二漏极区，该第一漏极区具有该第二导电类型，且该第二漏极区具有该第一导电类型；
一第二隔离区，设于该第一隔离区与该漏极区之间的该飘移区中；及
一第一掺杂区，位于该第一隔离区及该第二隔离区之间的该基板之中，该第一掺杂区具有该第一导电类型；
其中该第一掺杂区与该飘移区构成一第一二极管；
于俯视图中该第一漏极区及该源极区呈指状交叉，且该第一掺杂区邻近该源极区的一尖部，该第二漏极区位于该漏极区的一凹部。
2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该第一掺杂区接地。
3.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该第二漏极区、该飘移区、及该基板构成一垂直双极性晶体管。
4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该第二漏极区、该飘移区、及该第一掺杂区构成一水平双极性晶体管。
5.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，更包括：
一阱，位于该飘移区中且包围该漏极区，该阱具有该第二导电类型；
其中该阱的掺杂浓度大于该飘移区的掺杂浓度。
6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，更包括：
一顶掺杂区，位于该第二隔离区之间下方的飘移区中，该顶掺杂区具有该第一导电类型。
7.如权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该顶掺杂区的掺杂深度为均匀分布。
8.如权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，该顶掺杂区的掺杂深度由该栅极至该漏极区的一方向呈线性递减。
9.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，更包括：
一第三隔离区，位于第一隔离区与第二隔离区之间的该基板中；
一第二掺杂区，位于该第二隔离区及该第三隔离区之间的该基板之中；
其中该第二掺杂区与该飘移区构成一第二二极管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技股份有限公司，未经新唐科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811209280.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其形成方法
- 下一篇：应力沟道晶体管及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
