[发明专利]静电吸盘的制造方法及静电吸盘在审
申请号: | 201811202996.9 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109768008A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 金淳勋;李知善;张泰范;崔恩祯 | 申请(专利权)人: | SJ股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 方挺;黄谦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种适用于大面积基板上使用而且容易制造的静电吸盘及其制造方法。该静电吸盘具有在底面(1)上形成有第一电介质层(10’)和第二电介质层(20’)且在该电介质层(10’、20’)之间制备有电极图案(40)的结构。电介质层(10’、20’)是液态树脂的硬化层。支撑基板的第二电介质层(20’)上制备有缓冲层(50)。本发明提供的静电吸盘的结构十分简单,制造工艺简化,可明显地缩短制造时间。 | ||
搜索关键词: | 电介质层 静电吸盘 制造 制备 大面积基板 电极图案 液态树脂 支撑基板 制造工艺 缓冲层 硬化层 底面 | ||
【主权项】:
1.一种静电吸盘的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:a)沿着底面的上部面边缘设置第一坝的步骤,基于第一坝而围成的底面的上部被规定为第一区域;b)向所述第一区域提供第一液态树脂并在底面上涂布第一液态树脂及进行硬化的步骤;c)对硬化的所述第一液态树脂的上部面进行平坦加工,并形成第一电介质层的步骤;d)在所述第一电介质层上形成电极图案的步骤;e)沿着所述第一电介质层的边缘设置第二坝的步骤,基于第二坝而围成的第一电介质层上部被规定为第二区域;f)向所述第二区域提供第二液态树脂并在第一电介质层上涂布第二液态树脂及进行硬化的步骤;以及g)对硬化的所述第二液态树脂的上部面进行平坦加工,并形成第二电介质层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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