[发明专利]静电吸盘的制造方法及静电吸盘在审
申请号: | 201811202996.9 | 申请日: | 2018-10-16 |
公开(公告)号: | CN109768008A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 金淳勋;李知善;张泰范;崔恩祯 | 申请(专利权)人: | SJ股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 方挺;黄谦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质层 静电吸盘 制造 制备 大面积基板 电极图案 液态树脂 支撑基板 制造工艺 缓冲层 硬化层 底面 | ||
本发明公开了一种适用于大面积基板上使用而且容易制造的静电吸盘及其制造方法。该静电吸盘具有在底面(1)上形成有第一电介质层(10’)和第二电介质层(20’)且在该电介质层(10’、20’)之间制备有电极图案(40)的结构。电介质层(10’、20’)是液态树脂的硬化层。支撑基板的第二电介质层(20’)上制备有缓冲层(50)。本发明提供的静电吸盘的结构十分简单,制造工艺简化,可明显地缩短制造时间。
技术领域
本发明涉及一种静电吸盘(ESC),尤其,涉及一种显示器工艺中用于吸附基板的静电吸盘及其制造方法。
背景技术
静电吸盘是用于夹紧玻璃、晶片等被处理对象基板而使用的部件,基板污染的可能性较小,即使不向基板施加物理的力,也能准确地控制位置及温度,因此广泛应用于半导体或者LED显示器制造工艺等中。
在半导体和显示器产业中皆追求基板的大面积化。在第8代(generation)LCD工艺中,基板短边的长度约达到2000mm,对于第10代,基板短边的长度达到2900mm。为了实现如上述的大面积基板的精密化,静电吸盘的作用十分重要。
静电吸盘的典型例子为陶瓷型静电吸盘。陶瓷型静电吸盘可通过在印刷有电极图案的第一印刷电路基板上层叠第二印刷电路基板之后,进行共同烧结(co-firing)而制得。高温共同烧结过程中,由于电极材料和陶瓷材料间的热膨胀系数的差异导致积攒应力,由此导致发生静电吸盘变形等问题。陶瓷静电吸盘存在不易制成大面积的问题。
作为显示器工艺中主要使用的静电吸盘包括聚酰亚胺(polyimide)型静电吸盘。该静电吸盘中作为用于绝缘吸附电极的电介质,可使用聚酰亚胺薄膜。虽然适用于大面积化但是问题在于,软质的聚酰亚胺薄膜的耐久性比较脆弱及其导致的静电吸盘寿命较短的问题。该问题在韩国公开专利第2005-0064336号中被提及。
聚酰亚胺静电吸盘在制造过程中,需要对薄膜进行层叠及加压粘合工艺。由于需要对多张薄膜依次进行粘合,因此聚酰亚胺静电吸盘的制造过程对精密度和时间的要求比较高。层叠的薄膜间相互需要准确地进行匹配,不允许它们之间存在气泡或者薄膜中产生褶皱。
显示器的制造过程中,存在需要将两个基板进行对视的状态下进行工艺加工的情况。作为例子可包括在LCD工艺中将TFT基板和滤色片基板进行粘贴的情况以及在OLED封装工艺(encapsulation)中在TFT基板上增加玻璃盖片的情况。这些工艺中,两个基板间的距离十分近。因此,对于聚酰亚胺静电吸盘可能会发生基于绝缘破坏而导致的电弧放电的问题。
发明内容
【技术问题】
本发明的目的在于,基于对如上所述的现有技术的认识,提供一种静电吸盘及其制造方法,其适用于大面积基板的夹持而且容易制造。
本发明希望解决的技术问题不限于此处提及事项,没有提及的或者其它技术问题可基于以下记载的事项也能够理解。
【解决技术问题的手段】
为了实现如上所述的目的,本发明涉及的静电吸盘具有在由聚合物制成的第一电介质层和第二电介质层之间布置有用于吸附基板的电极图案的结构。这些电介质层也可被称之为绝缘层,具有为了产生静电力所需的适当的介电常数。例如电介质层可以是表面绝缘电阻值为109~1014Ωcm的聚合物材料。
根据本发明,所述电介质层通过硬化液态树脂而形成。假设上述电介质层是以将已制造的聚合物板粘合的方式进行制造,则板间的粘合层可在等离子体环境中容易被侵蚀,为了防止该侵蚀,需要提供另外的解决方案。粘合聚合物板的方式可能限制静电吸盘的设计自由度,以及引起寿命减少。
本发明中所述液态树脂应该理解为包括在树脂底面上添加有陶瓷等的树脂膏(paste)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造