[发明专利]形成氮化物半导体器件的工艺有效
| 申请号： | 201811202940.3 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109671775B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 中野拓真 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 李铭;卢吉辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种形成氮化物半导体器件的工艺。该工艺首先在一温度下通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术在半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜，然后在SiN膜中形成用于欧姆电极的开口。在SiN膜上制备光刻胶，其中光刻胶提供完全覆盖SiN膜中的开口的开口，该工艺将围绕SiN膜的开口的外围区域暴露于可以蚀刻半导体层的氯(Cl)等离子体以在其中形成凹槽。将用于欧姆电极的金属填充在半导体层中的凹槽内和SiN膜的外围区域。最后，在低于SiN膜的沉积温度的温度下对金属进行合金化。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氮化物 半导体器件 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种形成氮化物半导体器件的工艺，包括：在衬底上外延生长由氮化物半导体材料制成的多个半导体层，所述多个半导体层形成半导体叠层；在沉积温度下通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术在所述半导体叠层上沉积氮化硅(SiN)膜；在所述SiN膜中形成开口；将在所述SiN膜的开口内出现的所述半导体叠层的表面和围绕所述开口的SiN膜的表面的外围区域暴露于等离子体，所述等离子体包含氯(Cl)离子并且部分地蚀刻所述半导体叠层以在其中形成凹槽；在所述SiN膜的开口内暴露的半导体叠层的凹槽内和所述SiN膜的表面的外围区域沉积金属；以及在比所述SiN膜的沉积温度低的合金化温度下对所述金属进行合金化以形成与所述半导体叠层非整流接触的电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电工光电子器件创新株式会社，未经住友电工光电子器件创新株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811202940.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制造方法
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
