[发明专利]形成氮化物半导体器件的工艺

权利要求书

1.一种形成氮化物半导体器件的工艺，包括：

在衬底上外延生长由氮化物半导体材料制成的多个半导体层，所述多个半导体层形成半导体叠层；

在沉积温度下通过低压化学气相沉积技术在所述半导体叠层上沉积氮化硅膜；

在所述氮化硅膜中形成开口；

在形成开口的步骤之后，部分地蚀刻在所述氮化硅膜的开口内出现的所述半导体叠层的表面，以通过使用包含氯离子的等离子体在其中形成凹槽，所述蚀刻使围绕所述开口的氮化硅膜的表面的外围区域粗糙化；

在部分地蚀刻的步骤之后，在半导体叠层的凹槽内和所述氮化硅膜的表面的外围区域上沉积金属；以及

在比所述氮化硅膜的沉积温度低的合金化温度下对所述金属进行合金化以形成与所述半导体叠层非整流接触的电极。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中，

沉积所述氮化硅膜的步骤形成具有10nm至100nm厚度的氮化硅膜。

3.根据权利要求1所述的工艺，其中，

部分地蚀刻的步骤将所述外围区域设置为距离所述氮化硅膜中的开口的宽度为0.4μm至0.7μm。

4.根据权利要求1所述的工艺，

其中，沉积金属的步骤包括顺序沉积第一金属层和第二金属层的步骤，所述第一金属层由钽、钛和镍中的一种制成，所述第二金属层由铝制成，并且

其中，合金化所述金属的步骤在500℃至600℃的温度下进行。

5.根据权利要求1所述的工艺，

其中，从所述衬底的一侧起，所述半导体叠层包括由氮化镓制成的沟道层、设置在所述氮化镓沟道层上的阻挡层以及设置在所述阻挡层上的由氮化镓制成的覆盖层，所述阻挡层由氮化铝镓和氮化铟铝中的一种制成，并且

其中，部分地蚀刻的步骤通过蚀刻所述覆盖层和所述阻挡层的一部分来形成所述凹槽。

6.根据权利要求1所述的工艺，其中，

部分地蚀刻的步骤使用由氯和四氯化硅中的一种产生的等离子体。

7.根据权利要求1所述的工艺，其中，

沉积所述氮化硅膜的步骤是在700℃至800℃的沉积温度和10Pa至60Pa的沉积压力下使用用于硅和氮的二氯硅烷和氨作为源气体而进行的。

8.根据权利要求1所述的工艺，其中，

部分地蚀刻的步骤包括以下步骤：

用具有下光刻胶和上光刻胶的光刻胶涂覆所述氮化硅膜的表面，所述下光刻胶的光学灵敏度大于所述上光刻胶的光学灵敏度，

同时照射所述上光刻胶和所述下光刻胶，以及

对所述上光刻胶和所述下光刻胶显影，

其中，所述上光刻胶提供宽度大于所述氮化硅膜中的开口的宽度的开口，以完全暴露所述氮化硅膜中的开口，所述下光刻胶提供宽度大于所述上光刻胶中的开口的宽度的开口，所述上光刻胶相对于所述下光刻胶形成悬垂部分。