[发明专利]改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺在审
| 申请号： | 201811201838.1 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109494254A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘剑;郑泽人;龚大卫;王玉林 | 申请（专利权）人： | 扬州国扬电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 饶欣 |
| 地址： | 225009 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺，在进行重掺杂P型注入之前，在栅极端部向发射极接触孔的方向形成衬垫结构，然后以该衬垫结构作为阻挡进行重掺杂P型注入，重掺杂P型注入之后，去除衬垫结构。本发明能够通过调节氮化层沉积的时间、气体流量和压力等工艺参数来调节衬垫结构的宽度，从而能够将重掺杂P型区和栅极之间距离缩短至1um之内，从而能够大幅提高栅控型功率器件的安全工作区性能；本发明通过衬垫结构进行阻挡，不再需要光刻胶阻挡就能实现重掺杂P型注入的自对准，从根本上消除了发射极接触孔与栅极两层之间的光刻工艺对位存在的偏差对器件的影响；本发明工艺简单，有利于器件性能一致性的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 衬垫结构 重掺杂 安全工作区 功率器件 发射极接触孔 自对准工艺 阻挡 重掺杂P型区 氮化层沉积 光刻工艺 距离缩短 器件性能 气体流量 栅极端部 光刻胶 自对准 对位 两层 去除 改进 | ||
【主权项】：
1.改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺，其特征在于：在进行重掺杂P型注入之前，在栅极端部向发射极接触孔的方向形成衬垫结构，然后以该衬垫结构作为阻挡进行重掺杂P型注入，重掺杂P型注入之后，去除衬垫结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州国扬电子有限公司，未经扬州国扬电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811201838.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：垂直场效应晶体管和包括其的半导体器件
- 下一篇：深沟槽功率器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
