[发明专利]改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺在审
| 申请号： | 201811201838.1 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109494254A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘剑;郑泽人;龚大卫;王玉林 | 申请（专利权）人： | 扬州国扬电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 饶欣 |
| 地址： | 225009 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬垫结构 重掺杂 安全工作区 功率器件 发射极接触孔 自对准工艺 阻挡 重掺杂P型区 氮化层沉积 光刻工艺 距离缩短 器件性能 气体流量 栅极端部 光刻胶 自对准 对位 两层 去除 改进 | ||
【权利要求书】：
1.改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺，其特征在于：在进行重掺杂P型注入之前，在栅极端部向发射极接触孔的方向形成衬垫结构，然后以该衬垫结构作为阻挡进行重掺杂P型注入，重掺杂P型注入之后，去除衬垫结构。
2.根据权利要求1所述的改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺，其特征在于：所述重掺杂P型注入之后，通过刻蚀的方式去除衬垫结构。
3.根据权利要求2所述的改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺，其特征在于：所述刻蚀的方式采用热磷酸湿法刻蚀和氢氟酸湿法刻蚀。
4.根据权利要求1所述的改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺，其特征在于：所述形成衬垫结构之前，进行以下操作：先进行栅极的沉积和刻蚀，然后进行氧化层、氮化层的沉积。
5.根据权利要求1所述的改进栅控型功率器件安全工作区性能的自对准工艺，其特征在于：所述衬垫结构通过各向异性刻蚀形成。
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