[发明专利]一种嵌入式闪存结构的形成方法

摘要

本发明涉及一种嵌入式闪存结构的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上包括存储区和逻辑区；在存储区和逻辑区沉积第一浮栅堆叠层，第一浮栅堆叠层包括依次沉积的隧穿氧化层、第一浮栅层和第一掩膜层；同时去除存储区和逻辑区的第一掩膜层；在存储区和逻辑区沉积第二浮栅堆叠层；去除逻辑区上隧穿氧化层以上的所有沉积层；沉积第二掩膜层至存储区和逻辑区；在存储区的第二掩膜层中形成凹槽，在凹槽内形成闪存器件结构。本申请中通过采用一次湿法刻蚀就同时去除存储区和逻辑区的第二掩膜层，减少了去除所述逻辑区所有沉积层所使用的光刻步骤。本发明减少了嵌入式闪存结构的形成方法的工艺步骤，也节约了成本。

主权项

1.一种嵌入式闪存结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上包括存储区和逻辑区；在所述存储区和所述逻辑区沉积第一浮栅堆叠层，所述第一浮栅堆叠层包括依次沉积的隧穿氧化层、第一浮栅层和第一掩膜层；同时去除所述存储区和所述逻辑区的第一掩膜层；在所述存储区和所述逻辑区沉积第二浮栅堆叠层；去除所述逻辑区所述隧穿氧化层以上的所有沉积层；沉积第二掩膜层至所述存储区和所述逻辑区；在所述存储区的第二掩膜层中形成凹槽，在所述凹槽内形成闪存器件结构。