[发明专利]一种嵌入式闪存结构的形成方法

说明书

本发明涉及一种嵌入式闪存结构的形成方法，包括以下步骤：提供衬底，衬底上包括存储区和逻辑区；在存储区和逻辑区沉积第一浮栅堆叠层，第一浮栅堆叠层包括依次沉积的隧穿氧化层、第一浮栅层和第一掩膜层；同时去除存储区和逻辑区的第一掩膜层；在存储区和逻辑区沉积第二浮栅堆叠层；去除逻辑区上隧穿氧化层以上的所有沉积层；沉积第二掩膜层至存储区和逻辑区；在存储区的第二掩膜层中形成凹槽，在凹槽内形成闪存器件结构。本申请中通过采用一次湿法刻蚀就同时去除存储区和逻辑区的第二掩膜层，减少了去除所述逻辑区所有沉积层所使用的光刻步骤。本发明减少了嵌入式闪存结构的形成方法的工艺步骤，也节约了成本。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种嵌入式闪存结构的形成方法。

背景技术

近年来，随着智能电子产品市场的飞速发展，各类MCU(micro controller unit，微控制器)及SoC(System-on-Chip，片上系统)芯片的使用已经深入到汽车电子、工业控制和医疗产品等日常生活的各个方面。而高性能的MCU或SoC产品都离不开高性能嵌入式闪存(embedded flash,E-flash)内核的支持。无论是从芯片面积、系统性能和功耗上，还是从制造良率和设计周期上考虑，嵌入式闪存对SoC设计的主导作用都在不断增加。嵌入式闪存是将现有的闪存与逻辑模块从物理或是电学进行结合，提供更多样的性能。

面对目前嵌入式闪存市场日益激烈的竞争，降低成本是大家共同的追求。嵌入式闪存制造工艺中，需要分别制作存储区的闪存器件和逻辑区的逻辑、模拟器件，两者的工艺步骤之间不能相互干扰。通常是先进行存储区的闪存器件制作，再进行逻辑区的逻辑、模拟器件制作。因此需要在制作闪存器件的时候利用掩膜层将逻辑区保护起来，然后在闪存器件制作完成之后再去除逻辑区的掩膜层。现有技术中，由于存储区工艺复杂，导致逻辑区沉积层去除工艺比较复杂，工艺成本增加。

发明内容

本发明的目的在于提供一种嵌入式闪存结构的形成方法，以解决现有技术中逻辑区去除沉积层刻蚀步骤较多，工艺复杂，导致工艺成本增加的问题。

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种嵌入式闪存结构的形成方法，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底上包括存储区和逻辑区；

在所述存储区和所述逻辑区沉积第一浮栅堆叠层，所述第一浮栅堆叠层包括依次沉积的隧穿氧化层、第一浮栅层和第一掩膜层；

同时去除所述存储区和所述逻辑区的第一掩膜层；

在所述存储区和所述逻辑区沉积第二浮栅堆叠层；

去除所述逻辑区所述隧穿氧化层以上的所有沉积层；

沉积第二掩膜层至所述存储区和所述逻辑区；

在所述存储区的第二掩膜层中形成凹槽，在所述凹槽内形成闪存器件结构。

可选的，在所述嵌入式闪存结构的形成方法中，在同时去除所述存储区和所述逻辑区的第一掩膜层之前，还包括以下步骤：

干法刻蚀所述第一掩膜层、所述第一浮栅层、所述隧穿氧化层以及所述衬底以在存储区和逻辑区形成浅沟槽；

在所述浅沟槽内填充填充物并进行平坦化工艺，形成浅沟槽隔离结构。

可选的，在所述嵌入式闪存结构的形成方法中，所述填充物包括氧化硅。

可选的，在所述嵌入式闪存结构的形成方法中，第二浮栅堆叠层包括依次沉积的介电层和第二浮栅层。

可选的，在所述嵌入式闪存结构的形成方法中，所述介电层包括依次沉积的氧化硅层、氮化硅层以及氧化硅层。

可选的，在所述嵌入式闪存结构的形成方法中，采用一次干法刻蚀去除所述逻辑区所述隧穿氧化层以上的所有沉积层。