[发明专利]一种晶体炉控制方法及系统在审
| 申请号： | 201811197877.9 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109487332A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 徐红伟;唐作春;梁伟豪;黄俊鹏;钟文轩 | 申请（专利权）人： | 广州恩锐施智能科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 胡辉;何文聪 |
| 地址： | 510530 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了本发明一种晶体炉控制方法及系统，方法包括：在晶体炉系统启动后，通过真空泵和扩散泵控制晶体炉内部的真空度；当晶体炉内部的真空度达到预设的真空度目标后，晶体炉开始对原料进行处理；根据工艺要求进行生长环境的调节，并开始晶体生成；在晶体生成完成后，进行降温处理，并在处理后关闭晶体炉系统。本发明能实现晶体生长过程中的全自动化，并且能通过控制晶体炉内部的真空度从而防止炉体特殊材料的氧化，大大提升晶体炉的使用寿命。本发明可广泛应用于晶体炉控制领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体炉 晶体生成 控制晶体 炉内部 晶体生长过程 工艺要求 降温处理 全自动化 生长环境 使用寿命 系统启动 扩散泵 真空泵 炉体 预设 应用 | ||
【主权项】：
1.一种晶体炉控制方法，其特征在于，包括以下步骤：在晶体炉系统启动后，通过真空泵和扩散泵控制晶体炉内部的真空度；当晶体炉内部的真空度达到预设的真空度目标后，晶体炉开始对原料进行处理；根据工艺要求进行生长环境的调节，并开始晶体生成；在晶体生成完成后，进行降温处理，并在处理后关闭晶体炉系统。
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