[发明专利]一种晶体炉控制方法及系统

说明书

本发明公开了本发明一种晶体炉控制方法及系统，方法包括：在晶体炉系统启动后，通过真空泵和扩散泵控制晶体炉内部的真空度；当晶体炉内部的真空度达到预设的真空度目标后，晶体炉开始对原料进行处理；根据工艺要求进行生长环境的调节，并开始晶体生成；在晶体生成完成后，进行降温处理，并在处理后关闭晶体炉系统。本发明能实现晶体生长过程中的全自动化，并且能通过控制晶体炉内部的真空度从而防止炉体特殊材料的氧化，大大提升晶体炉的使用寿命。本发明可广泛应用于晶体炉控制领域中。

技术领域

本发明涉及晶体炉控制技术领域，尤其涉及一种晶体炉控制方法及系统。

背景技术

人工晶体在科学技术和工业生产领域中起到越来越重要的作用，而人工晶体的制备设备和制备技术，成为了制约人工晶体产量和质量的重要瓶颈。最先进的人工晶体制备技术掌握在美国、德国等发达国家手中，相应的设备自动化程度高，易于实现批量生产。但是其高昂的价格，令国内企业和科研院所望而却步。国内有少数企业也可以提供人工晶体制备设备，但往往存在着自动化程度低，过分依赖操作者经验，批量生产中成品率低等问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种能提高自动化程度的晶体炉控制方法及系统。

本发明所采取的技术方案是：

一种晶体炉控制方法，包括以下步骤：

在晶体炉系统启动后，通过真空泵和扩散泵控制晶体炉内部的真空度；

当晶体炉内部的真空度达到预设的真空度目标后，晶体炉开始对原料进行处理；

根据工艺要求进行生长环境的调节，并开始晶体生成；

在晶体生成完成后，进行降温处理，并在处理后关闭晶体炉系统。

作为所述的一种晶体炉控制方法的进一步改进，所述的晶体炉开始对原料进行处理，这一步骤具体包括：

晶体炉对原料进行加热处理；

原料经过加热融化后进行引晶工艺处理。

作为所述的一种晶体炉控制方法的进一步改进，所述的根据工艺要求进行生长环境的调节，这一步骤具体为：

根据工艺要求，对升降速度和旋转速度进行调节处理。

作为所述的一种晶体炉控制方法的进一步改进，还包括以下步骤：

实时对晶体炉系统中的生产参数进行监控。

作为所述的一种晶体炉控制方法的进一步改进，所述生产参数包括电压、功率、电流、转速、位移、重量和真空度。

本发明所采用的另一个技术方案是：

一种晶体炉控制系统，包括：

真空度控制单元，用于在晶体炉系统启动后，通过真空泵和扩散泵控制晶体炉内部的真空度；

原料处理单元，用于当晶体炉内部的真空度达到预设的真空度目标后，晶体炉开始对原料进行处理；

晶体生成单元，用于根据工艺要求进行生长环境的调节，并开始晶体生成；

降温单元，用于在晶体生成完成后，进行降温处理，并在处理后关闭晶体炉系统。

作为所述的一种晶体炉控制系统的进一步改进，所述原料处理单元具体包括：

加热单元，用于晶体炉对原料进行加热处理；

引晶单元，用于原料经过加热融化后进行引晶工艺处理。

作为所述的一种晶体炉控制系统的进一步改进，所述的晶体生成单元具体为：用于根据工艺要求，对升降速度和旋转速度进行调节处理。