[发明专利]基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片

摘要

本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，属于半导体LED芯片制造技术领域，包括P型薄膜层、电子阻挡层、多量子阱结构层、氮化铝镓材料层、氮化铝镓缓冲层和氧化镓衬底。P型薄膜层的制作材料是p型氮化铝镓材料；电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面；多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，多量子阱结构层通过第三侧面设置在第二侧面上；氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，氮化铝镓材料层通过第五侧面设置在第四侧面上；氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，氮化铝镓缓冲层通过第七侧面设置在第六侧面上。本发明达到无需对倒装结构的LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。

主权项

1.一种基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，其特征在于，所述基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片包括：P型薄膜层，所述P型薄膜层的制作材料是p型氮化铝镓材料；电子阻挡层，所述电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面，所述电子阻挡层通过所述第一侧面设置在所述P型薄膜层上，且所述第一侧面位于所述第二侧面和所述P型薄膜层之间；多量子阱结构层，所述多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，所述多量子阱结构层通过所述第三侧面设置在所述第二侧面上，且所述第三侧面位于所述第四侧面和所述第二侧面之间；氮化铝镓材料层，所述氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，所述氮化铝镓材料层通过所述第五侧面设置在所述第四侧面上，且所述第五侧面位于所述第六侧面和所述第四侧面之间；氮化铝镓缓冲层，所述氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，所述氮化铝镓缓冲层通过所述第七侧面设置在所述第六侧面上，且所述第七侧面位于所述第八侧面和所述第六侧面之间；氧化镓衬底，所述氧化镓衬底设置有第九侧面和第十侧面，所述氧化镓衬底通过所述第九侧面设置在所述第八侧面上，且所述第九侧面位于所述第十侧面和所述第八侧面之间。