[发明专利]基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片在审
| 申请号： | 201811194480.4 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109103309A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 陈景文;张毅;单茂诚;谭波;龙翰凌;张爽 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 徐松 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侧面 氮化铝镓缓冲层 多量子阱结构层 深紫外LED 侧面设置 垂直芯片 氮化铝镓 倒装结构 材料层 氧化镓 电子阻挡层 芯片制造技术 半导体LED 衬底材料 技术效果 制作材料 衬底 制备 剥离 | ||
1.一种基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，其特征在于，所述基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片包括：
P型薄膜层，所述P型薄膜层的制作材料是p型氮化铝镓材料；
电子阻挡层，所述电子阻挡层设置有第一侧面和第二侧面，所述电子阻挡层通过所述第一侧面设置在所述P型薄膜层上，且所述第一侧面位于所述第二侧面和所述P型薄膜层之间；
多量子阱结构层，所述多量子阱结构层设置有第三侧面和第四侧面，所述多量子阱结构层通过所述第三侧面设置在所述第二侧面上，且所述第三侧面位于所述第四侧面和所述第二侧面之间；
氮化铝镓材料层，所述氮化铝镓材料层设置有第五侧面和第六侧面，所述氮化铝镓材料层通过所述第五侧面设置在所述第四侧面上，且所述第五侧面位于所述第六侧面和所述第四侧面之间；
氮化铝镓缓冲层，所述氮化铝镓缓冲层设置有第七侧面和第八侧面，所述氮化铝镓缓冲层通过所述第七侧面设置在所述第六侧面上，且所述第七侧面位于所述第八侧面和所述第六侧面之间；
氧化镓衬底，所述氧化镓衬底设置有第九侧面和第十侧面，所述氧化镓衬底通过所述第九侧面设置在所述第八侧面上，且所述第九侧面位于所述第十侧面和所述第八侧面之间。
2.如权利要求1所述的基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述P型薄膜层的制作材料是p型氮化铝镓材料。
3.如权利要求2所述的基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述电子阻挡层的厚度范围从1nm到100nm。
4.如权利要求3所述的基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述多量子阱结构层的发光波长不低于260nm。
5.如权利要求4所述的基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述氮化铝镓材料层的制作材料是n型氮化铝镓材料。
6.如权利要求5所述的基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述氮化铝镓缓冲层的制作材料是n型氮化铝镓材料。
7.如权利要求6所述的基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述氧化镓衬底的制作材料是n型氧化镓材料。
8.如权利要求7所述的基于n型掺杂氧化镓倒装结构的深紫外LED垂直芯片，其特征在于：
所述氧化镓衬底的厚度范围从100μm到700μm。
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