[发明专利]一种硅基纳米多孔硅单凸透镜的制备方法有效
| 申请号： | 201811186718.9 | 申请日： | 2018-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN109137059B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 龙永福 | 申请（专利权）人： | 湖南文理学院 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;G02B3/00 |
| 代理公司： | 常德市源友专利代理事务所(特殊普通合伙) 43208 | 代理人： | 江妹 |
| 地址： | 415000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基纳米多孔硅单凸透镜的制备方法，该方法是将常规双槽腐蚀时使用两个圆形平板薄铂片作为电极，且在两个平行电极之间放置硅片，硅片轴线、两个圆形平板薄铂片轴线三者重合，硅片离左、右两个电极的距离相等，硅片将腐蚀液分隔成两个独立的部分；采用恒流源对硅片进行电化学腐蚀形成圆柱形多孔硅薄膜；然后将硅基圆柱形的多孔硅膜浸入氢氧化钠溶液中，并以圆柱形的多孔硅薄膜的中心轴为自旋转轴旋转圆柱形多孔硅，导致在多孔硅圆柱表面形成由多孔硅材料构成的单面凸透镜。通过本发明的方法，能获得纳米多孔硅单面凸透镜，能广泛应用于微机电系统，为微机光电系统领域作出了重大的贡献。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 多孔 凸透镜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基纳米多孔硅单凸透镜的制备方法，其特征在于，该方法是将常规双槽腐蚀时使用两个圆柱形薄铂片作为电极，且在两个平行电极之间放置圆形硅片，硅片中心轴线、两个圆形平板薄铂片中心轴线三者重合，硅片离左、右两个电极的距离相等，硅片将腐蚀液分隔成两个独立的部分；先采用恒流源对硅片进行电化学腐蚀形成圆柱形多孔硅薄膜；然后将圆柱形的多孔硅膜浸入氢氧化钠溶液中，并以圆柱形的多孔硅薄膜的中心轴为自旋转轴旋转圆柱形多孔硅，导致硅基多孔硅圆柱形成由多孔硅材料构成的单面凸透镜。
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