[发明专利]一种硅基纳米多孔硅单凸透镜的制备方法

权利要求书

1.一种硅基纳米多孔硅单凸透镜的制备方法，其特征在于，该方法是将常规双槽腐蚀时使用两个圆柱形薄铂片作为电极，且在两个平行电极之间放置圆形硅片，硅片中心轴线、两个圆形平板薄铂片中心轴线三者重合，硅片离左、右两个电极的距离相等，硅片将腐蚀液分隔成两个独立的部分；首先，使用恒流腐蚀电流对硅片进行电化学腐蚀形成圆柱形多孔硅薄膜，一方面，在正常的恒流腐蚀电流密度条件下，对硅片表面进行电化学腐蚀，形成圆柱形的多孔硅薄膜；其次，在圆柱形的多孔硅薄膜完成后，将其浸入氢氧化钠溶液中，并以圆柱形的多孔硅薄膜的中心轴为自旋转轴顺时针、逆时针交替旋转圆柱形多孔硅，由于离自旋转轴越远，多孔硅薄膜表面与氢氧化钠溶液反应越强烈，从而腐蚀掉的多孔硅材料越多， 腐蚀越深，导致硅基多孔硅圆柱形成由多孔硅材料构成的单面凸透镜。

2.根据权利要求1所述的硅基纳米多孔硅单凸透镜的制备方法，其特征在于，以圆柱形的多孔硅薄膜的中心轴为自旋转轴自旋的平均角速度为（0 .1~100）×2π/S。

3.根据权利要求2所述的硅基纳米多孔硅单凸透镜的制备方法，其特征在于，顺、逆时针交替旋转圆柱形多孔硅的频率为0.01~1Hz。

4.根据权利要求2或3所述的硅基纳米多孔硅单凸透镜的制备方法，其特征在于，氢氧化钠溶液的浓度为0.1~5%。