[发明专利]用于集成电路的互连及其制造方法在审
| 申请号： | 201811182488.9 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109817568A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | J.A.基特尔;G.海格德;H.西姆卡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于集成电路的互连及其制造方法，该方法包括：形成包括至少一个线的互连布局，所述至少一个线包括非扩散材料；在线上形成扩散阻挡层；形成开口，该开口完全延伸穿过扩散阻挡层并暴露线的一部分；在扩散阻挡层上沉积扩散层，使得扩散层的一部分接触线的所述部分；以及使扩散层热反应以形成金属性互连。使扩散层热反应将扩散层的材料化学地扩散到所述至少一个线中，并导致至少一个晶粒沿着所述至少一个线的长度从至少一个成核位置生长，所述至少一个成核位置被限定在扩散层的所述部分与线的所述部分之间的界面处。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散层 扩散阻挡层 互连 成核位置 热反应 集成电路 开口 材料化学 互连布局 扩散材料 延伸穿过 晶粒 接触线 界面处 金属性 沉积 制造 扩散 暴露 生长 | ||
【主权项】：
1.一种制造用于集成电路的金属性互连的方法，所述方法包括：形成包括至少一个线的互连布局，所述至少一个线包括非扩散材料；在所述至少一个线上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层中形成至少一个开口，所述至少一个开口完全延伸穿过所述扩散阻挡层，并且暴露所述至少一个线的一部分；在所述扩散阻挡层上沉积扩散层，所述扩散层的一部分接触所述至少一个线的所述部分；以及使所述扩散层的至少一部分热反应以形成所述金属性互连，其中使所述扩散层的所述至少一部分热反应将所述扩散层的材料化学地扩散到所述至少一个线中，并且导致至少一个晶粒沿着所述至少一个线的长度从至少一个成核位置生长，所述至少一个成核位置被限定在所述扩散层的所述部分与所述至少一个线的所述部分之间的界面处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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