[发明专利]一种LED外延结构生长方法有效
| 申请号： | 201811180931.9 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109346569B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郭丽彬;周长健;程斌;唐军 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LED外延结构生长方法，应用于半导体器件技术领域，所述方法至少包括：提供一衬底；在所述衬底上生长岛状成长层；在所述岛状成长层上，采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比，压力在100‑600torr,转速在500‑1200之间，生长二维成长层；在所述二维成长层上，成长采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比，压力在100‑600torr,转速在500‑1200之间，生长N型GaN层；在所述N型GaN层上方生长有源区MQW发光层；在所述有源区MQW发光层上生长P型半导体层。应用本发明实施例，缓解现有技术中LED芯片光通量在热态下的衰减问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构生长方法，其特征在于，所述方法至少包括：提供一衬底；在所述衬底上，采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下进行互相配比，通入TMGa，使得气体压力范围为：100‑500torr，转速在500‑1200之间，生长岛状成长层；在所述岛状成长层上，采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比，压力在100‑600torr,转速在500‑1200之间，生长二维成长层；在所述二维成长层上，成长采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比，压力在100‑600torr,转速在500‑1200之间，生长N型GaN层；在所述N型GaN层上方生长有源区MQW发光层；在所述有源区MQW发光层上生长P型半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司，未经合肥彩虹蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811180931.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
