[发明专利]一种LED外延结构生长方法有效
| 申请号： | 201811180931.9 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109346569B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郭丽彬;周长健;程斌;唐军 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 生长 方法 | ||
1.一种LED外延结构生长方法，其特征在于，所述方法至少包括：
提供一衬底；
在所述衬底上，采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下进行互相配比，通入TMGa，使得气体压力范围为：100-500torr，转速在500-1200之间，生长岛状成长层；
在所述岛状成长层上，采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比，压力在100-600torr,转速在500-1200之间，生长二维成长层；
在所述二维成长层上，成长采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比，压力在100-600torr,转速在500-1200之间，生长N型GaN层；
在所述N型GaN层上方生长有源区MQW发光层，生长温度在720-920℃之间，压力在100-600Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在300-8000之间；
在所述有源区MQW发光层上生长P型半导体层，以N2作为载气生长厚度10-100nm之间的P型GaN层，生长温度在620-1200℃之间，压力在100-600Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在200-6000之间。
2.根据权利要求1所述的LED外延结构生长方法，其特征在于，所述衬底为ALN镀膜衬底；
所述在所述衬底上，采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下进行互相配比，通入TMGa，使得气体压力范围为：100-500torr，转速在500-1200之间，生长岛状成长层的步骤，包括：
在所述衬底上，将温度调节至1000-1200℃之间，采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下进行互相配比，通入TMGa，使得气体压力范围为：100-500torr，转速在500-1200之间，生长岛状成长层。
3.根据权利要求2所述的LED外延结构生长方法，其特征在于，所述在所述岛状成长层上，采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比，压力在100-500torr,转速在500-1200之间，生长二维成长层的步骤，包括：
在所述岛状成长层上，生长温度在1000-1200℃之间，采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比，压力在100-500torr,转速在500-1200之间，生长二维成长层。
4.根据权利要求2所述的LED外延结构生长方法，其特征在于，所述在所述二维成长层上，成长采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比，压力在100-600torr,转速在500-1200之间，生长N型GaN层的步骤，包括：
在所述二维成长层上，生长温度在1000-1200℃之间，成长采用氮气：氢气：氨气配比为氮气的流量为0，通过H2和NH3的气体分配在合理气流模型下互相配比，压力在100-600torr,转速在500-1200之间，生长N型GaN层。
5.根据权利要求1所述的LED外延结构生长方法，其特征在于，所述方法还包括：
冷却步骤：将温度降至450-800℃之间，采用纯氮气氛围进行退火处理2～20min，然后降至室温。
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