[发明专利]用于提高数据可靠性的非易失性存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201811180742.1 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109872761A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 金承范;李悳雨;郭东勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 非易失性存储器件包括多个字线和电压发生器。一些字线对应于劣化区域。电压发生器被配置为产生通过字线提供给多个存储单元的编程电压。由非易失性存储器件实现的控制逻辑被配置为控制字线上的编程操作和擦除操作。劣化区域包括第一组字线和第二组字线。控制逻辑被配置为控制编程序列，使得在编程相邻的第一组字线之后编程第二组字线的每个，并控制分布使得对应于第一组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平高于对应于第二组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平。 | ||
| 搜索关键词： | 组字 非易失性存储器件 字线 阈值电压电平 电压发生器 擦除状态 控制逻辑 劣化 编程 配置 数据可靠性 编程操作 编程电压 编程序列 擦除操作 存储单元 控制字 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，包括连接到多个字线的多个存储单元，所述多个字线中的一些对应于劣化区域；和电压发生器，被配置为产生通过多个字线提供给多个存储单元的编程电压，其中，由非易失性存储器件实现的控制逻辑被配置为控制对多个字线的编程操作和擦除操作，其中，劣化区域包括：第一组字线，其中至少一个第一位的数据被写入多个存储单元的每一个中；以及第二组字线，其中至少两个第二位的数据被写入多个存储单元的每一个中，其中，所述至少两个第二位多于所述至少一个第一位，并且其中控制逻辑被配置为控制编程序列，使得在编程相邻的第一组字线之后编程第二组字线的每个，并控制分布使得对应于第一组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平高于对应于第二组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平。
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