[发明专利]用于提高数据可靠性的非易失性存储器件及其操作方法

说明书

非易失性存储器件包括多个字线和电压发生器。一些字线对应于劣化区域。电压发生器被配置为产生通过字线提供给多个存储单元的编程电压。由非易失性存储器件实现的控制逻辑被配置为控制字线上的编程操作和擦除操作。劣化区域包括第一组字线和第二组字线。控制逻辑被配置为控制编程序列，使得在编程相邻的第一组字线之后编程第二组字线的每个，并控制分布使得对应于第一组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平高于对应于第二组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平。

相关申请的交叉引用

该申请要求2017年12月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0166196的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。

技术领域

本公开涉及非易失性存储器件。更具体地，本公开涉及用于提高数据可靠性的非易失性存储器件及其操作方法。

背景技术

作为一种类型的半导体存储器件，非易失性存储器件每个包括数个(多个)存储单元，即使在电源关闭和接通时也存储数据。作为非易失性存储器件的示例，可以在便携式电话、数码相机、个人数字助理(PDA)、移动计算机设备、固定计算机设备和其他设备中提供闪存器件。

闪存器件可以每个包括多个块，并且每个块可以包括多个字线。就闪存器件的结构而言，每个块中的字线的特性可以不同。特定区域(例如，劣化区域)中的字线的特性可能比另一区域(例如，正常区域)中的字线的特性更差。需要管理劣化区域以增强闪存器件的数据可靠性。

发明内容

本公开提供了一种非易失性存储器件以及非易失性存储器件的编程方法，其中在劣化区域中具有减小的特性的字线被最小化，从而提高了数据可靠性。

根据本公开的一方面，非易失性存储器件包括存储单元阵列和电压发生器。存储单元阵列包括连接到多个字线的多个存储单元。多个字线中的一些对应于相对于正常区域劣化的劣化区域。电压发生器被配置为产生通过字线提供给存储单元的编程电压。由非易失性存储器件实现的控制逻辑被配置为控制对字线的编程操作和擦除操作。劣化区域包括：第一组字线，其中至少一个第一位的数据被写入每个存储单元中；以及第二组字线，其中至少两个第二位的数据被写入每个存储单元中。至少两个第二位多于至少一个第一位。控制逻辑被配置为控制编程序列，使得在编程相邻的第一组字线之后编程第二组字线的每个，并控制分布使得对应于第一组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平高于对应于第二组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平。

根据本公开的另一方面，一种存储器件具有存储单元阵列，存储单元阵列包括多个字线和包括一些字线的正常区域和包括其他字线的劣化区域。存储器件的操作方法包括：编程连接到劣化区域的第一组字线的每个存储单元中的至少一个第一位的数据；在完成对第一组字线的编程之后，编程连接到劣化区域的第二组字线的每个存储单元中的至少两个第二位的数据，其中所述至少两个第二位多于至少一个第一位；和在正常区域的字线上执行编程，其中，对应于第一组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平高于对应于第二组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平。

根据本公开的另一方面，一种存储器件包括存储单元阵列，该存储单元阵列具有包括第一组字线和第二组字线的劣化区域。存储器件的操作方法包括：编程连接到第一组字线的每个存储单元中的至少一个第一位的数据；在完成对第一组字线的编程之后，编程连接到第二组字线的每个存储单元中的至少两个第二位的数据，其中至少两个第二位多于至少一个第一位；使用第一组字线上的第一验证电压执行擦除操作；和使用第二组字线上的第二验证电压执行擦除操作，其中，第一验证电压的电平高于第二验证电压的电平，并且在对第一组字线进行擦除操作之后的阈值电压电平高于对第二组字线进行擦除操作之后的阈值电压电平。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开的实施例，其中：

图1是示出根据实施例的存储系统的框图；