[发明专利]MOS晶体管及其形成方法、以及闪存的形成方法

摘要

本发明提供了一种MOS晶体管及其形成方法，以及闪存的形成方法，MOS晶体管的形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有介质层，介质层上形成有栅电极；在介质层上形成图形化的第一掩模层；在所述半导体衬底中形成轻掺杂源/漏区；以图形化的第一掩膜层为掩模，对介质层执行刻蚀工艺，以减薄轻掺杂源/漏区上方的介质层的厚度，并去除图形化的第一掩模层；形成栅介质层。本发明通过在形成轻掺杂源/漏区之后加入一刻蚀工艺，以减薄位于轻掺杂源/漏区上方的介质层厚度，改善了在后续形成栅介质层时去除位于所述重掺杂源/漏区上方的介质层时栅介质层两侧出现突出的侧向腐蚀的问题，从而解决了MOS晶体管的击穿电压单点偏低的问题。

主权项

1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层上形成有栅电极；在所述介质层上形成图形化的第一掩模层，所述图形化的第一掩模层在所述栅电极的两侧形成有第一开口；以所述栅电极以及图形化的第一掩膜层为掩模，对所述第一开口下方的半导体衬底进行第一次离子注入，以在所述半导体衬底中形成轻掺杂源/漏区；以所述图形化的第一掩膜层为掩模，对所述第一开口暴露出的介质层执行刻蚀工艺，以减薄所述轻掺杂源/漏区上方的介质层的厚度，并去除所述图形化的第一掩模层；在所述栅电极两侧形成间隙壁；在所述介质层上形成图形化的第二掩模层，所述图形化的第二掩模层在所述栅电极和间隙壁的两侧形成有第二开口；以所述间隙壁和图形化的第二掩模层为掩模，对所述第二开口下方的半导体衬底进行第二次离子注入，以在所述半导体衬底中形成重掺杂源/漏区，并去除所述图形化的第二掩模层；在所述介质层上形成图形化的第三掩模层，所述图形化的第三掩模层在所述重掺杂源/漏区上方形成有第三开口；以及以所述图形化的第三掩模层为掩模，对所述第三开口暴露出的介质层执行刻蚀工艺，以去除位于重掺杂源/漏区上方的介质层，形成栅介质层。