[发明专利]集成有源反馈腔的半导体激光器芯片在审

专利信息
申请号: 201811178879.3 申请日: 2018-10-10
公开(公告)号: CN109167251A 公开(公告)日: 2019-01-08
发明(设计)人: 毛远峰;阚强;吉晨;王圩 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/06 分类号: H01S5/06;H01S5/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李坤
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种集成有源反馈腔的半导体激光器芯片,包括:直调激光器,设置于所述激光器芯片的一端,用于提供光输出以及模式选择;有源反馈腔,设置于所述激光器芯片的另一端,用于提供光反馈以增加激光器芯片的直调带宽;以及电隔离区,设置于所述直调激光器与有源反馈腔之间,用于实现所述直调激光器与有源反馈腔之间的电隔离;所述集成有源反馈腔的半导体激光器芯片通过直调激光器与有源反馈腔中载流子和光子的相互作用,可以在提高激光器本身弛豫振荡频率的同时利用光‑光共振效应扩展激光器的调制带宽,以一种实用方便的结构实现超高的直调带宽。
搜索关键词: 反馈腔 直调激光器 半导体激光器芯片 激光器芯片 激光器 带宽 载流子 弛豫振荡频率 电隔离区 调制带宽 共振效应 结构实现 模式选择 电隔离 光反馈 光输出 光子
【主权项】:
1.一种集成有源反馈腔的半导体激光器芯片,包括:直调激光器(1),设置于所述激光器芯片的一端,用于提供光输出以及模式选择;有源反馈腔(3),设置于所述激光器芯片的另一端,用于提供光反馈以增加激光器芯片的直调带宽;以及电隔离区(2),设置于所述直调激光器(1)与有源反馈腔(3)之间,用于实现所述直调激光器(1)与有源反馈腔(3)之间的电隔离。
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