[发明专利]集成有源反馈腔的半导体激光器芯片在审
| 申请号： | 201811178879.3 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109167251A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 毛远峰;阚强;吉晨;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反馈腔 直调激光器 半导体激光器芯片 激光器芯片 激光器 带宽 载流子 弛豫振荡频率 电隔离区 调制带宽 共振效应 结构实现 模式选择 电隔离 光反馈 光输出 光子 | ||
1.一种集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，包括：
直调激光器(1)，设置于所述激光器芯片的一端，用于提供光输出以及模式选择；
有源反馈腔(3)，设置于所述激光器芯片的另一端，用于提供光反馈以增加激光器芯片的直调带宽；以及
电隔离区(2)，设置于所述直调激光器(1)与有源反馈腔(3)之间，用于实现所述直调激光器(1)与有源反馈腔(3)之间的电隔离。
2.根据权利要求1所述的集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，所述直调激光器(1)与有源反馈腔(3)采用相同的有源区和波导结构。
3.根据权利要求1所述的集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，所述直调激光器(1)的长度不大于400微米。
4.根据权利要求1所述的集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，所述电隔离区(2)的宽度典型值为20至50微米之间。
5.根据权利要求1所述的集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，所述有源反馈腔(3)长度的典型值为100至500微米之间。
6.根据权利要求1所述的集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，所述直调激光器(1)与有源反馈腔(3)的总长度在100至1000微米之间。
7.根据权利要求1所述的集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，注入到有源反馈腔(3)的电流需要在提供足够的光反馈的同时保持器件模式稳定不跳模。
8.根据权利要求1所述的集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，有源反馈腔(3)给直调激光器(1)提供光反馈，同时对反馈的强度和相位进行调节。
9.根据权利要求1所述的集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，所述激光器芯片的出光面为位于有源反馈腔(3)一侧的端面，其端面保持解理或选镀增透膜。
10.根据权利要求1或9所述的集成有源反馈腔的半导体激光器芯片，所述激光器芯片位于直调激光器(1)一侧的端面保持解理或选镀高反膜。
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