[发明专利]半导体装置及其抽气方法在审

专利信息
申请号: 201811178403.X 申请日: 2018-10-10
公开(公告)号: CN111029274A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 潘磊 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其抽气方法,该装置包括:工艺腔室,工艺腔室包括上腔室、下腔室,打开所述工艺腔室后,所述上腔室与所述下腔室沿竖直方向分离;与下腔室相通连接的真空管;与真空管连接的排气管;与排气管连接的抽气泵。本方案利用同等抽力,抽气横截面越小,空气流速越大的原理,实现废弃物的快速有效去除,提高抽气效果;另外,抽气时,上腔室以及下腔室的残留废弃物均会排出,增大了抽气范围;再者,抽气装置直接连接在真空管上,操作简单便捷,且残留废弃物可直接通过排气管排出,不需要占用很多工作区域空间;最后,可减少厂务端真空建设,有效节约工厂运行成本。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 方法
【主权项】:
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