[发明专利]半导体装置及其抽气方法在审
申请号: | 201811178403.X | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN111029274A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 潘磊 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体装置及其抽气方法,该装置包括:工艺腔室,工艺腔室包括上腔室、下腔室,打开所述工艺腔室后,所述上腔室与所述下腔室沿竖直方向分离;与下腔室相通连接的真空管;与真空管连接的排气管;与排气管连接的抽气泵。本方案利用同等抽力,抽气横截面越小,空气流速越大的原理,实现废弃物的快速有效去除,提高抽气效果;另外,抽气时,上腔室以及下腔室的残留废弃物均会排出,增大了抽气范围;再者,抽气装置直接连接在真空管上,操作简单便捷,且残留废弃物可直接通过排气管排出,不需要占用很多工作区域空间;最后,可减少厂务端真空建设,有效节约工厂运行成本。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811178403.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种消息传输的方法、设备及金属饰品
- 下一篇:低碳烯烃裂解设备以及裂解方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造