[发明专利]半导体装置及其抽气方法在审
| 申请号： | 201811178403.X | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN111029274A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 潘磊 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：
工艺腔室，所述工艺腔室包括上腔室、下腔室，打开所述工艺腔室后，所述上腔室与所述下腔室沿竖直方向分离；
与所述下腔室相通连接的真空管；
与所述真空管连接的排气管；
与所述排气管连接的抽气泵。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述抽气装置还包括设置在所述排气管上用于控制所述排气管通断的控制阀。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述控制阀包括手阀和气动阀，其中，所述气动阀的状态通过控制器控制。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述手阀包括球形阀。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述抽气装置还包括设置在所述排气管上且与所述控制器连接的压力感应器，所述控制器监测所述压力感应器的压力值，并根据监测的所述压力值控制所述气动阀的状态。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：所述控制器包括控制面板、电源开关、气体管道分配器以及压力感应切换模块。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述排气管通过转换阀与所述真空管连接。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述转换阀包括三通转换阀，所述三通转换阀具有第一开口、第二开口及第三开口，所述工艺腔室还包括腔室压力计，其中，所述第一开口与所述真空管密封连接，所述第二开口与所述腔室压力计密封连接，所述第三开口与所述排气管密封连接。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述上腔室与所述下腔室沿竖直方向分离的距离介于1cm～2cm。
10.一种半导体装置的抽气方法，其特征在于，所述抽气方法包括：
沿竖直方向打开工艺腔室，使所述工艺腔室成为具有间隔的上腔室和下腔室，其中，所述下腔室相通连接真空管；
接通与所述真空管连接的排气管；
打开与所述排气管连接的抽气泵，并通过所述真空管及所述排气管对所述上腔室及所述下腔室进行抽气。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
