[发明专利]一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811175947.0 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109149361A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡玮;王永进 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王安琪 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法，使用深硅刻蚀技术，完全剥离器件底部的硅衬底，再使用电感耦合等离子体反应离子刻蚀技术从背面刻蚀掉AlN层、AlGaN层和部分n‑GaN层来调控垂直谐振微腔长度；垂直谐振微腔顶部和底部的反射镜均由电子束蒸发技术沉积电介质布拉格反射镜实现；位于p型电极键合区下方的绝缘隔离层和顶部反射镜使用一步电子束蒸发工艺同时完成。在制备过程中，可以通过调控相关参数来实现激光波长和出射方向的选择，从而获得波长可调、激光出射方向可控的电泵浦硅衬底GaN激光器。本发明提出的基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器成本低、制备工艺简单，可用于多个领域。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 硅衬底 布拉格反射镜 激光器 垂直腔面发射 垂直谐振 反射镜 出射 微腔 制备 电感耦合等离子体 反应离子刻蚀技术 电子束蒸发工艺 电子束蒸发技术 绝缘隔离层 背面刻蚀 波长可调 方向可控 激光波长 刻蚀技术 相关参数 制备工艺 制备过程 电泵浦 键合区 再使用 调控 沉积 可用 激光 剥离 | ||
【主权项】：
1.基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器，其特征在于，以硅衬底氮化物晶圆作为载体，包括硅衬底层(1)、设置在硅衬底层(1)上的AlN层(2)、设置在AlN层(2)上的AlGaN层(3)、设置在AlGaN层(3)上的垂直谐振微腔(14)、以及绝缘隔离层(12)、n型电极(7)和p型电极。
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