[发明专利]一种基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811175947.0 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109149361A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡玮;王永进 | 申请（专利权）人： | 南京工程学院 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 王安琪 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电介质 硅衬底 布拉格反射镜 激光器 垂直腔面发射 垂直谐振 反射镜 出射 微腔 制备 电感耦合等离子体 反应离子刻蚀技术 电子束蒸发工艺 电子束蒸发技术 绝缘隔离层 背面刻蚀 波长可调 方向可控 激光波长 刻蚀技术 相关参数 制备工艺 制备过程 电泵浦 键合区 再使用 调控 沉积 可用 激光 剥离 | ||
1.基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器，其特征在于，以硅衬底氮化物晶圆作为载体，包括硅衬底层(1)、设置在硅衬底层(1)上的AlN层(2)、设置在AlN层(2)上的AlGaN层(3)、设置在AlGaN层(3)上的垂直谐振微腔(14)、以及绝缘隔离层(12)、n型电极(7)和p型电极。
2.如权利要求1所述的基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器，其特征在于，垂直谐振微腔(14)由n-GaN层(4)、设置在所述n-GaN层(4)上的InGaN多量子阱层(5)、设置在所述InGaN多量子阱层(5)上的p-GaN层(6)、设置在所述p-GaN层(6)上的顶部反射镜(10)和设置在所述n-GaN层(4)下表面的底部反射镜(11)构成。
3.如权利要求1所述的基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器，其特征在于，p型电极由相连的p型电极导电区(8)和p型电极键合区(9)组成。
4.如权利要求1所述的基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器，其特征在于，硅衬底氮化物晶圆上表面刻蚀有阶梯状台阶，阶梯状台阶包含上台面和下台面，上台面为p-GaN层(6)上表面，下台面为刻蚀后暴露的n-GaN层(4)上表面；n型电极(7)设置在下台面上；顶部反射镜(10)、p型电极导电区(8)和绝缘隔离层(12)设置在上台面上；p型电极键合区(9)设置在绝缘隔离层(12)上；n-GaN层(4)下方有贯穿硅衬底层(1)、AlN层(2)、AlGaN层(3)至n-GaN层(4)中的空气腔(13)。
5.如权利要求1所述的基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器，其特征在于，顶部反射镜(10)和底部反射镜(11)的反射谱匹配InGaN多量子阱有源层(5)的电致发光谱，通过调整谐振微腔长度参数，顶部反射镜(10)和底部反射镜(11)的厚度参数，来调控垂直微腔的谐振波长，从而获得出射激光波长可调的硅衬底GaN激光器。
6.如权利要求1所述的基于电介质布拉格反射镜的垂直腔面发射硅衬底GaN激光器，其特征在于，通过调整顶部反射镜(10)和底部反射镜(11)的配对参数来调控反射镜的反射谱，从而控制激光从顶部反射镜(10)出射或是从底部反射镜出射，实现激光出射方向可控的硅衬底GaN激光器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京工程学院，未经南京工程学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811175947.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
