[发明专利]一种Co掺杂的纳米棒状的CuWO4光阳极薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811175676.9 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109295474A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘志华;周苗;刘志锋 | 申请（专利权）人： | 天津城建大学 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B1/04 |
| 代理公司： | 天津睿勤专利代理事务所(普通合伙) 12225 | 代理人： | 孟福成 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种Co掺杂的纳米棒状的CuWO4光阳极薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将偏钨酸铵和氯化铜加入到无水乙醇中，磁力搅拌后加入硝酸钴，继续搅拌得到透明的Co掺杂的CuWO4前驱体溶胶；(2)将清洗干净的ITO导电玻璃在步骤(1)中制得的前驱体溶胶中浸渍后提拉，干燥后重复镀膜，将完成二次镀膜的ITO导电玻璃继续干燥，得到烘干的Co掺杂的CuWO4薄膜；(3)将步骤(2)中得到的薄膜退火处理，得到Co掺杂的纳米棒状的CuWO4光阳极薄膜。本发明可达到简单可行，原料成本低，光电催化产氢性能良好，明显提高光电催化产氢时光电流的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂的 光阳极薄膜 纳米棒状 前驱体溶胶 光电催化 产氢 制备 薄膜 浸渍 磁力搅拌 二次镀膜 偏钨酸铵 退火处理 无水乙醇 原料成本 氯化铜 透明的 硝酸钴 烘干 镀膜 提拉 清洗 重复 | ||
【主权项】：
1.一种Co掺杂的纳米棒状的CuWO4光阳极薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将偏钨酸铵和氯化铜加入到无水乙醇中，磁力搅拌后加入硝酸钴，继续搅拌得到透明的Co掺杂的CuWO4前驱体溶胶；(2)将清洗干净的ITO导电玻璃在步骤(1)中制得的前驱体溶胶中浸渍后提拉，干燥后重复镀膜，将完成二次镀膜的ITO导电玻璃继续干燥，得到烘干的Co掺杂的CuWO4薄膜；(3)将步骤(2)中得到的薄膜退火处理，得到Co掺杂的纳米棒状的CuWO4光阳极薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津城建大学，未经天津城建大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811175676.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种密闭效果好的电解槽
- 下一篇：一种硒掺杂硒化钒复合材料的制备方法
