[发明专利]一种Co掺杂的纳米棒状的CuWO4光阳极薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811175676.9 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN109295474A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘志华;周苗;刘志锋 | 申请（专利权）人： | 天津城建大学 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B1/04 |
| 代理公司： | 天津睿勤专利代理事务所(普通合伙) 12225 | 代理人： | 孟福成 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂的 光阳极薄膜 纳米棒状 前驱体溶胶 光电催化 产氢 制备 薄膜 浸渍 磁力搅拌 二次镀膜 偏钨酸铵 退火处理 无水乙醇 原料成本 氯化铜 透明的 硝酸钴 烘干 镀膜 提拉 清洗 重复 | ||
1.一种Co掺杂的纳米棒状的CuWO4光阳极薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将偏钨酸铵和氯化铜加入到无水乙醇中，磁力搅拌后加入硝酸钴，继续搅拌得到透明的Co掺杂的CuWO4前驱体溶胶；
(2)将清洗干净的ITO导电玻璃在步骤(1)中制得的前驱体溶胶中浸渍后提拉，干燥后重复镀膜，将完成二次镀膜的ITO导电玻璃继续干燥，得到烘干的Co掺杂的CuWO4薄膜；
(3)将步骤(2)中得到的薄膜退火处理，得到Co掺杂的纳米棒状的CuWO4光阳极薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种Co掺杂的纳米棒状的CuWO4光阳极薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，偏钨酸铵的用量为2.96g，氯化铜的用量为0.17g，无水乙醇的用量为50mL，磁力搅拌条件为在室温下持续10～15min，硝酸钴的用量为0.005～0.016g且Co2+和Cu2+的摩尔比为0.02～0.06/0.98～0.94，加入硝酸钴后的搅拌条件为3～4h。
3.根据权利要求1所述的一种Co掺杂的纳米棒状的CuWO4光阳极薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，ITO导电玻璃以1mm/s的速度浸渍15～30s；干燥条件为在80℃烘箱内，其中完成二次镀膜的ITO导电玻璃干燥1～4h。
4.根据权利要求1所述的一种Co掺杂的纳米棒状的CuWO4光阳极薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，退火处理条件为置于500℃～550℃的马弗炉内持续2h。
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