[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201811172585.X | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111029302A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有初始栅极结构，初始栅极结构侧壁表面具有侧墙，初始栅极结构和侧墙两侧的基底内具有源漏掺杂区，基底上具有覆盖初始栅极结构和侧墙的侧壁的介质层；回刻蚀部分所述初始栅极结构以形成栅极结构，并在所述介质层内形成栅极开口，所述栅极结构的顶部表面低于所述介质层的顶部表面，且所述栅极开口侧壁暴露出部分侧墙；在所述栅极开口内形成保护层，所述保护层覆盖栅极开口的底部表面和侧壁表面以及介质层顶部表面，所述保护层的材料与侧墙的材料不同；形成保护层后，在栅极开口内形成隔离结构，所述隔离结构的材料与保护层的材料不同。所述方法形成的半导体器件的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
