[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有初始栅极结构，初始栅极结构侧壁表面具有侧墙，所述初始栅极结构和侧墙两侧的基底内具有源漏掺杂区，所述基底上具有覆盖初始栅极结构和侧墙的侧壁的介质层；

回刻蚀部分所述初始栅极结构以形成栅极结构，并在所述介质层内形成栅极开口，所述栅极结构的顶部表面低于所述介质层的顶部表面，且所述栅极开口侧壁暴露出部分侧墙；

在所述栅极开口内形成保护层，所述保护层覆盖栅极开口的底部表面和侧壁表面以及介质层顶部表面，所述保护层的材料与侧墙的材料不同；

形成保护层后，在栅极开口内形成隔离结构，所述隔离结构的材料与保护层的材料不同；

去除部分所述隔离结构，直至暴露出保护层顶部表面，在所述介质层内形成初始接触孔；

去除初始接触孔底部的保护层，直至暴露出栅极结构顶部表面，在所述介质层内形成接触孔。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为5埃～100埃。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺为原子层沉积工艺；所述原子层沉积工艺的参数包括：压强为20毫托～200毫托，温度为50摄氏度～400摄氏度。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料包括氮化硅、氧化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料包括：氮化硅、氧化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的形成方法包括：在所述栅极开口内、以及保护层表面形成隔离结构膜；

去除部分隔离结构膜，直至暴露出保护层的表面，在所述栅极开口内形成隔离结构。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述初始接触孔的形成方法包括：在所述隔离结构和介质层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分隔离结构表面；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述隔离结构，直至暴露出保护层的表面，形成初始接触孔。

9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述接触孔的形成方法包括：以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀初始接触孔底部和侧壁表面的保护层，直至暴露出栅极结构的顶部表面，形成接触孔。

10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除部分所述隔离结构的工艺为第一刻蚀工艺；所述第一刻蚀工艺为干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀工艺的参数包括：采用的刻蚀气体包括CF₄、CH₃F、O₂、N₂和CHF₃，压强为5毫托～100毫托，所述刻蚀气体的流量为10标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，温度为30摄氏度～120摄氏度。

11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除初始接触孔底部和侧壁表面的保护层的工艺为第二刻蚀工艺；所述第二刻蚀工艺为干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀工艺的参数包括：采用的刻蚀气体包括C₄F₆、O₂、CF₄和N₂，压强为5毫托～100毫托，所述刻蚀气体的流量为10标准毫升/分钟～500标准毫升/分钟，温度为30摄氏度～120摄氏度。