[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
申请号: | 201811172252.7 | 申请日: | 2018-10-09 |
公开(公告)号: | CN110718532B | 公开(公告)日: | 2021-09-28 |
发明(设计)人: | 冯立伟;洪裕祥;魏铭德 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L23/535 | 分类号: | H01L23/535;H01L23/48;H01L27/115;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中该半导体元件包含一基底,至少一位线位于该基底上,其中该位线顶端包含有一圆角掩模(rounding hard mask),且该圆角掩模定义有一顶部以及一底部,以及至少一存储点接触结构(storage node contact plug)位于该位线旁,该存储点接触结构至少包含有一导电层,其中从剖视图来看,该存储点接触结构定义有一宽度X1,其中该宽度X1所在位置与该圆角掩模的该顶部在一水平方向对齐,而该存储点接触结构定义有另一宽度X2,其中该宽度X2所在位置与该圆角掩模的该底部在该水平方向切齐,其中X1大于或等于X2。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体元件,其特征在于,包含:/n基底;/n至少一位线,位于该基底上,其中该位线顶端包含有圆角掩模(rounding hard mask),且该圆角掩模定义有顶部以及底部;以及/n至少一存储点接触结构(storage node contact plug),位于该位线旁,该存储点接触结构至少包含有导电层,其中从剖视图来看,该存储点接触结构定义有一宽度X1,其中该宽度X1所在位置与该圆角掩模的该顶部在一水平方向对齐,而该存储点接触结构定义有另一宽度X2,其中该宽度X2所在位置与该圆角掩模的该底部在该水平方向切齐,其中X1大于或等于X2。/n
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