[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201811168392.7 | 申请日： | 2018-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN109346453A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘峻;胡小龙;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体；位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分焊盘上的钝化结构层，所述钝化结构层中具有凹槽，所述凹槽的底部暴露出所述焊盘本体；位于所述钝化结构层上的感光保护层，所述感光保护层覆盖所述凹槽的侧壁，所述感光保护层中具有位于所述焊盘本体上的感光开口，所述感光开口延伸至所述凹槽中，且所述感光开口的口径小于所述凹槽的口径。所述半导体器件的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 焊盘 半导体器件 感光保护层 钝化结构 感光 开口 口径 侧壁 暴露 覆盖 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体；位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分焊盘上的钝化结构层，所述钝化结构层中具有凹槽，所述凹槽的底部暴露出所述焊盘本体；位于所述钝化结构层上的感光保护层，所述感光保护层覆盖所述凹槽的侧壁，所述感光保护层中具有位于所述焊盘本体上的感光开口，所述感光开口延伸至所述凹槽中，且所述感光开口的口径小于所述凹槽的口径。
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