[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件，包括：初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体；位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分焊盘上的钝化结构层，所述钝化结构层中具有凹槽，所述凹槽的底部暴露出所述焊盘本体；位于所述钝化结构层上的感光保护层，所述感光保护层覆盖所述凹槽的侧壁，所述感光保护层中具有位于所述焊盘本体上的感光开口，所述感光开口延伸至所述凹槽中，且所述感光开口的口径小于所述凹槽的口径。所述半导体器件的性能得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件。

背景技术

快闪存储器(Flash Memory)又称为闪存，闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因此成为非挥发性存储器的主流存储器。根据结构的不同，闪存分为非门闪存(NOR Flash Memory)和与非门闪存(NAND Flash Memory)。相比NOR Flash Memory，NAND Flash Memory能提供及高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也更快。

随着平面型闪存的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是目前平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，如曝光技术极限、显影技术极限及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面型闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，三维(3D)闪存应用而生，例如3D-NAND闪存。

现有的3D-NAND闪存表面需要形成一层保护层。

然而，基于现有的保护层的工艺，3D-NAND闪存构成的半导体器件的性能有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件，以提高半导体器件的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件，包括：初始器件，所述初始器件包括焊盘，所述焊盘位于所述初始器件的表面，所述焊盘包括焊盘本体；位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分焊盘上的钝化结构层，所述钝化结构层中具有凹槽，所述凹槽的底部暴露出所述焊盘本体；位于所述钝化结构层上的感光保护层，所述感光保护层覆盖所述凹槽的侧壁，所述感光保护层中具有位于所述焊盘本体上的感光开口，所述感光开口延伸至所述凹槽中，且所述感光开口的口径小于所述凹槽的口径。

可选的，所述感光保护层的材料包括聚酰亚胺材料。

可选的，所述钝化结构层包括第一钝化层和位于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述第一钝化层位于所述焊盘周围的初始器件上、以及部分所述焊盘上。

可选的，所述第一钝化层的材料包括氧化硅。

可选的，所述第二钝化层的材料包括氮化硅。

可选的，所述焊盘本体的材料包括铝。

可选的，所述焊盘还包括位于焊盘本体的部分顶部表面的焊盘保护层，所述焊盘保护层中具有焊盘开口，所述焊盘开口位于所述感光开口的底部，且所述感光开口的侧壁与所述焊盘开口的侧壁对齐。

可选的，所述焊盘保护层的材料包括氮化钛。

可选的，所述凹槽的底部口径大于所述焊盘开口的口径；对于所述焊盘保护层突出于所述凹槽侧壁的部分，所述焊盘保护层的顶部表面被所述感光保护层覆盖。

可选的，所述凹槽的底部口径小于所述凹槽的顶部口径；所述凹槽的底部侧壁分别与所述感光开口的侧壁以及所述焊盘开口的侧壁对齐。

可选的，所述初始器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交错层叠的绝缘层和导电层，所述堆叠结构的顶层和底层均为绝缘层；贯穿所述堆叠结构的沟道结构；位于所述沟道结构和堆叠结构上的介质层；所述焊盘位于介质层的表面；所述焊盘与所述沟道结构电学连接。