[发明专利]成像器件及电子装置有效
| 申请号： | 201811167443.4 | 申请日： | 2014-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN109461747B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 田中裕介;若野寿史;田谷圭司;永野隆史;岩元勇人;中泽圭一;平野智之;山口晋平;丸山俊介 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 王新春;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了成像器件和电子装置。更具体地，成像器件包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧；光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一半导体层的所述第二表面上；第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面；和第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 器件 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成像器件，其包括：第一半导体层，所述第一半导体层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面是光入射侧；光电转换区域，所述光电转换区域设置在所述第一半导体层中；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述第一半导体层的所述第二表面上；第二半导体层，所述第二半导体层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述第二半导体层的所述第三表面面向所述第一半导体层的所述第二表面；和第二晶体管，所述第二晶体管设置在所述第二半导体层的所述第四表面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811167443.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种摄像头组件、组装方法以及终端
- 下一篇：一种光学元件的封装结构及封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
